ชิปเมเจอร์เตรียมใช้เครื่อง EUV รุ่นใหม่ของ ASML ตั้งแต่ปี 2028

ASML ผู้ผลิตเครื่องลิโทกราฟีรายใหญ่ของโลก ระบุว่าลูกค้าชิปรายใหญ่เริ่มวางแผนใช้เครื่อง High NA EUV รุ่นใหม่ในงานผลิตระดับปริมาณมากแล้ว โดย Samsung ตั้งเป้าเริ่มใช้งานในปี 2028 ขณะที่ TSMC คาดว่าจะตามมาในปี 2030 เทคโนโลยีนี้เป็นรุ่นล้ำหน้าสุดของการผลิตชิปยุคปัจจุบัน และถูกใช้งานในเชิงจริงแล้วโดย Intel และ SK hynix ในช่วงเวลาสั้น ๆ ที่ผ่านมา

จุดเด่นของ High NA EUV คือช่วยให้การผลิตชิปมีขั้นตอนน้อยลง ทำให้ทำงานได้เร็วขึ้น เพิ่มอัตราผลผลิต และสร้างลวดลายวงจรที่มีความหนาแน่นสูงขึ้นบนเวเฟอร์ เทคโนโลยีนี้จึงถูกมองว่าเป็นก้าวสำคัญสำหรับการทำชิปที่เล็กลง แรงขึ้น และประหยัดพลังงานมากขึ้น ซึ่งสอดรับกับแนวโน้มการแข่งขันในตลาดเซมิคอนดักเตอร์ระดับไฮเอนด์

รายงานยังระบุว่า ASML กำลังผลักดันอุตสาหกรรมให้เปลี่ยนจาก photomask ขนาด 6 นิ้วไปสู่ 12 นิ้ว โดยจะทำงานร่วมกับหลายบริษัทในห่วงโซ่อุปทาน รวมถึง Samsung, TSMC, Nvidia และ Apple แนวคิดนี้มีเป้าหมายเพื่อให้แสง EUV ครอบคลุมพื้นที่ได้มากขึ้นต่อการยิงแต่ละครั้ง ลดจำนวนครั้งที่ต้องฉายลายลงบนเวเฟอร์ จึงช่วยเพิ่มประสิทธิภาพและลดต้นทุนการผลิตในระยะยาว

ซีอีโอ ASML Christophe Fouquet ระบุว่าการใช้งาน High NA EUV จะค่อย ๆ เพิ่มขึ้นตามแผนการย่อขนาดชิป โดยช่วงแรกยังใช้มาสก์ 6 นิ้วก่อน ก่อนจะขยับไปสู่มาสก์ 12 นิ้ว ซึ่งจะช่วยให้เครื่องสแกนทำงานได้มีประสิทธิภาพขึ้นและรองรับความต้องการชิปที่เล็กกว่า เร็วกว่า และประหยัดพลังงานกว่าเดิม

ASML ยังวางเป้าหมายสร้างสายการผลิตต้นแบบสำหรับมาสก์ 12 นิ้วภายในปี 2031 และตั้งใจให้ระบบ High-NA lithography สำหรับการผลิตชิประดับ advanced node เริ่มใช้งานจริงได้ราวปี 2033 นั่นหมายความว่าอีกไม่กี่ปีข้างหน้า อุตสาหกรรมชิปน่าจะเร่งนำเทคโนโลยีนี้ไปใช้ในวงกว้างมากขึ้น แม้ปัจจุบันผู้ผลิตหลายรายยังพึ่งพา EUV รุ่นเก่าและ DUV อยู่เป็นหลัก

ภาพรวมของความเคลื่อนไหวนี้สะท้อนว่าผู้ผลิตชิปยังมั่นใจในอุปสงค์ระยะยาวของตลาด โดยเฉพาะแรงหนุนจากกระแส AI ที่ทำให้ความต้องการหน่วยความจำและโปรเซสเซอร์ยังสูงต่อเนื่อง แม้ตลาดชิปสำหรับผู้ใช้ทั่วไปจะไม่ได้เติบโตแรงเท่ากับฝั่งดาต้าเซ็นเตอร์และเซิร์ฟเวอร์ก็ตาม