นักวิจัยจีนรายงานความคืบหน้าการผลิตชิปต่ำกว่า 3 นาโนเมตรด้วยเครื่องลิทอกราฟีรุ่นเก่า
นักวิจัยที่เกี่ยวข้องกับสถาบันวิทยาศาสตร์จีนรายงานความคืบหน้าในการพัฒนาแนวทางผลิตทรานซิสเตอร์ระดับก้าวหน้ามาก โดยมุ่งไปสู่กระบวนการที่ต่ำกว่า 3 นาโนเมตร แม้ยังอยู่ในระยะเริ่มต้นและห่างไกลจากการผลิตเชิงพาณิชย์ แต่ผลลัพธ์ดังกล่าวสะท้อนว่าจีนกำลังหาทางเดินใหม่เพื่อยกระดับอุตสาหกรรมชิปภายในประเทศภายใต้ข้อจำกัดด้านเครื่องมือ
หัวใจของงานวิจัยคือการพัฒนาโครงสร้างทรานซิสเตอร์แบบ gate-all-around ซึ่งเป็นสถาปัตยกรรมที่ใช้กันในชิปยุคถัดไป และเป็นแนวทางที่ช่วยให้ควบคุมการไหลของกระแสไฟได้ดีขึ้นเมื่อขนาดทรานซิสเตอร์เล็กลง ทีมวิจัยอ้างว่าได้แสดงเส้นทางทางเทคนิคที่สามารถสร้างอุปกรณ์ประเภทนี้ได้โดยใช้การพิมพ์ลายวงจรด้วยแสงอัลตราไวโอเลตช่วงลึก หรือ DUV แทนการพึ่งพาเครื่อง EUV ที่มีความก้าวหน้ากว่า
ประเด็นนี้มีความสำคัญเพราะ EUV เป็นเครื่องมือหลักสำหรับการผลิตชิประดับสากลในโหนดที่เล็กมาก แต่จีนยังเผชิญข้อจำกัดจากมาตรการควบคุมการส่งออกและการเข้าถึงเทคโนโลยีขั้นสูง การใช้ DUV ซึ่งเป็นอุปกรณ์ที่เก่ากว่าและแพร่หลายกว่าจึงอาจช่วยให้ผู้ผลิตจีนมีช่องทางทำชิปขั้นสูงได้ แม้จะต้องแลกกับความซับซ้อนด้านกระบวนการและประสิทธิภาพการผลิตที่ยังไม่เทียบเท่าผู้นำอุตสาหกรรม
อย่างไรก็ตาม รายงานนี้ยังไม่ควรถูกตีความว่าเป็นหลักฐานว่าจีนสามารถผลิตชิป 3 นาโนเมตรในเชิงปริมาณได้แล้ว เพราะงานที่เปิดเผยเป็นเพียงก้าวทางวิจัยในระยะแรก และยังต้องพิสูจน์ทั้งด้านความเสถียร ผลผลิตต่อรอบการผลิต ต้นทุน และความพร้อมของห่วงโซ่อุปทานก่อนจะไปถึงการใช้งานจริง
ถึงกระนั้น ความคืบหน้าดังกล่าวบ่งชี้ว่าจีนกำลังเร่งหาทางลดการพึ่งพาเครื่องมือและกระบวนการจากต่างประเทศ เพื่อรักษาความสามารถในการแข่งขันในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ โดยเฉพาะในช่วงที่การแข่งขันด้านชิปและข้อจำกัดทางเทคโนโลยีระหว่างจีนกับชาติตะวันตกยังตึงเครียด
