SK hynix และ SanDisk เปิดสเปก HBF รวมข้อดีของ HBM กับ NAND สำหรับดาต้าเซ็นเตอร์

SK hynix จับมือ SanDisk เปิดตัวสเปกหน่วยความจำใหม่ชื่อ High Bandwidth Flash (HBF) ที่ตั้งใจวางตำแหน่งไว้กึ่งกลางระหว่าง HBM และ SSD โดยใช้ NAND เป็นฐานเพื่อเพิ่มความจุ แต่ยังคงเป้าหมายด้านแบนด์วิดท์ให้ใกล้เคียงหน่วยความจำความเร็วสูงสำหรับงานดาต้าเซ็นเตอร์และ AI

แนวคิดหลักของ HBF คือการแก้ปัญหาที่อุตสาหกรรมกำลังเจอพร้อมกันสองด้าน ได้แก่ ความต้องการแบนด์วิดท์สูงและความต้องการความจุที่เพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็ว โดย SK hynix ระบุว่าสเปกเริ่มต้นรองรับความจุได้สูงสุด 512 GB ซึ่งเมื่อเทียบกับ SSD ถือว่าไม่มากนัก แต่เมื่อเทียบกับ HBM แล้วถือว่ามีความจุสูงกว่ามากในระดับที่น่าสนใจสำหรับงานศูนย์ข้อมูล

ในด้านประสิทธิภาพ HBF ถูกอ้างว่ามีแบนด์วิดท์ราว 0.4–3 TB/s ซึ่งต่ำกว่าชุด HBM รุ่นบนสุดบางแบบ แต่ยังอยู่ในระดับที่สูงพอจะรองรับเวิร์กโหลดด้าน AI และระบบประมวลผลขนาดใหญ่ได้ สาระสำคัญคือการสร้างชั้นหน่วยความจำใหม่ที่เร็วกว่า SSD ทั่วไป แต่ขยายความจุได้มากกว่าหน่วยความจำ HBM แบบเดิม

จุดสำคัญอีกอย่างคือ HBF ไม่ได้ถูกปิดเป็นเทคโนโลยีเฉพาะของสองบริษัท แต่เปิดเป็นมาตรฐานผ่าน Open Compute Project (OCP) ทำให้ผู้ผลิตหน่วยความจำรายอื่นสามารถนำไปพัฒนาต่อได้เช่นกัน นอกจากนี้สเปกยังใช้ UCIe เป็นอินเทอร์เฟซ ทำให้สามารถเชื่อมต่อกับซีพียูและจีพียูได้หลากหลาย และมีโอกาสนำไปใช้งานในแพ็กเกจเดียวกับชิปประมวลผลหลายชนิด

การเปิดตัวครั้งนี้เกิดขึ้นท่ามกลางปัญหาขาดแคลนหน่วยความจำที่ยังไม่คลี่คลาย SK hynix เคยคาดว่าความต้องการของลูกค้าจะสูงกว่ากำลังผลิตไปจนเกินปี 2030 ขณะที่ Samsung ก็เตือนว่าตลาดอาจเผชิญการขาดแคลนหนักขึ้นในช่วงปี 2027 และยืดเยื้อไปถึงปี 2028 ส่งผลให้ราคาหน่วยความจำมีแนวโน้มปรับขึ้นแรงในระยะสั้น

ด้านธุรกิจ SK hynix เองยังเร่งลงทุนโรงงานชิปในเกาหลีใต้มูลค่ามากกว่า 6 หมื่นล้านดอลลาร์เพื่อรองรับอุปสงค์ที่พุ่งสูง แม้ HBF ในฐานะมาตรฐานเปิดอาจไม่ได้สร้างรายได้โดยตรงให้บริษัทมากนัก แต่หากอุตสาหกรรมยอมรับและนำไปใช้จริง ก็จะเปิดทางให้ SK hynix และพันธมิตรผลิตหน่วยความจำรุ่นใหม่สำหรับตลาด AI และดาต้าเซ็นเตอร์ได้กว้างขึ้น