Samsung และ SK Hynix อัปเกรดกระบวนการผลิต NAND ที่โรงงานในจีน

Samsung Electronics และ SK Hynix ยืนยันว่ากำลังปรับปรุงกระบวนการผลิตที่โรงงานในจีน เพื่อรองรับการผลิต NAND flash memory รุ่นที่มีความก้าวหน้ามากขึ้น รายงานดังกล่าวอ้างอิงจากสำนักข่าว Reuters และถูกนำมาตีความต่อโดย SBS โดยประเด็นนี้สะท้อนให้เห็นว่า ผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ของเกาหลีใต้ยังคงเดินหน้าพัฒนาไลน์การผลิตในจีน แม้สภาพแวดล้อมทางธุรกิจและภูมิรัฐศาสตร์จะซับซ้อนขึ้น

ทั้งสองบริษัทไม่ได้เปิดเผยรายละเอียดเชิงเทคนิคหรือแผนการผลิตอย่างเป็นทางการ ว่าการอัปเกรดดังกล่าวเกี่ยวข้องกับขั้นตอนใด ปรับปรุงระดับไหน หรือจะเริ่มเดินเครื่องเชิงพาณิชย์เมื่อใด จึงยังไม่ชัดเจนว่าการเปลี่ยนแปลงครั้งนี้จะส่งผลต่อปริมาณผลผลิตหรือโครงสร้างผลิตภัณฑ์อย่างไรในระยะสั้น

อย่างไรก็ตาม การยกระดับกระบวนการผลิต NAND มักมีเป้าหมายเพื่อเพิ่มความสามารถในการผลิตชิปความจุสูงและมีประสิทธิภาพดีขึ้น ซึ่งเป็นหัวใจสำคัญของตลาดสตอเรจในอุปกรณ์ดิจิทัล เซิร์ฟเวอร์ และศูนย์ข้อมูล การปรับปรุงที่โรงงานจีนจึงน่าจะช่วยให้ทั้ง Samsung และ SK Hynix รักษาความสามารถในการแข่งขันในตลาดหน่วยความจำที่เปลี่ยนเร็ว

กรณีนี้ยังมีนัยสำคัญในเชิงซัพพลายเชน เพราะโรงงานในจีนของผู้ผลิตชิปรายใหญ่เผชิญข้อจำกัดด้านนโยบาย การควบคุมการส่งออก และความไม่แน่นอนจากการแข่งขันทางเทคโนโลยีระหว่างประเทศอยู่ตลอด การลงทุนปรับปรุงกระบวนการผลิตจึงอาจเป็นทั้งการรักษาฐานการผลิตเดิมและการเตรียมความพร้อมสำหรับความต้องการชิป NAND รุ่นใหม่ในตลาดโลก